Examen materiales metalicos
Enviado por mondoro • 30 de Marzo de 2018 • 931 Palabras (4 Páginas) • 462 Visitas
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24) Límite de dominio
Límite de Dominio.- Un es una pequeña región del material cuya dirección de magnetización o de polarización dieléctrica permanece igual.
25) Son el obstáculo a las dislocaciones
limite de grano
26) Defecto puntual
localizadas en arreglos atómica o iónicos que hacen que la estructura cristalina no sea perfecta
27) Dopante
Los dopantes son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en cantidades conocidas en lugares específicos de la microestructura para mejorar las propiedades o el procesamiento del material.
28) Impureza
29) Vacancia
Una Vacancia se produce cuando falta átomo o un ión en su sitio normal de la estructura cristalina
30) Defecto intersticial
Un defecto Intersticial se forma cuando se inserta un átomo o ión adicional en la estructura cristalina en una posición normalmente desocupada.
31) Defecto sustitucional
Se introduce un defecto sustitucional cuando un átomo o ión se sustituye con un tipo distinto de átomo o ión
32) Defecto de Frenkel
También conocido como par de Frenkel, es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un ión salta de un punto normal de red a un sitio intersticial y deja atrás una vacancia.
33) Defecto de Schottky
Es exclusivo de los materiales iónicos y se encuentra en muchos materiales cerámicos.
34) Ion, catión y anión
Un ión es un átomo o un grupo de átomos que tiene una carga neta positiva o negativa.
La pérdida de uno o más electrones a partir de un átomo neutro forma un catión, un ion con carga neta positiva.
un anión es un ion cuya carga neta es negativa debido a un incremento en el número de electrones.
35) Difusión atómica
La difusión atómica se refiere al flujo neto de cualquier especie, tal como iones, átomos, electrones, vacancias y moléculas.
36) Carburación o Cementado
El incremento de la concentración de carbono enla superficie del acero aumenta la dureza.
37) Semiconductor
Un semiconductor es un material aislante que, cuando se le añaden ciertas sustancias o en un determinado contexto, se vuelve conductor.
38) 3 materiales semiconductores
potasio, bario, galio
39) Mecanismos de difusión
Difusión por Vacancia y Difusión Intersticial.
40) Difusión por vacancia
se tienen flujos contracorriente de átomos y vacancias, a este fenómeno se le llama difusión por vacancia.
41) Sinterización
La sinterización es el tratamiento a alta temperatura que ocasiona que las partículas se unan, reduciendo de forma gradual el volumen del espacio poroso entre ellas.
42) Enlazamiento por difusión
Es un método para unir materiales en tres etapas. La primera etapa une dos superficies a temperatura y presión altas, fragmentando impurezas y provocando un área grande de contacto entre átomos.
Los átomos se difunden a lo largo de los límites de grano y los vacíos restantes; el crecimiento de granos aísla los vacíos de los límites de grano. En la tercera etapa se desarrolla una difusión en volumen comparativamente lenta.
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