CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT)

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- Obtención de la curva característica del UJT con respecto a los parámetros de corriente de emisor y voltaje de emisor a base 1

- Se conectara la salida del generador de funciones al canal 1 del osciloscopio

- En el generador de funciones se ajustara la forma de onda de manera triangular

- La frecuencia también se ajustara a 12kHz.

- Se deberá de ajustar con las perillas DC OFFSET y OUTPUT LEVEL la tensión del generador de manera que su valor sea de 10Vp y asegurarse que el valor mínimo no sea inferior a 0 pero si lo más cercano.

- Realizar el circuito de la figura 5, con los componentes involucrados en la forma de onda

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Figura 5 Circuito para determinar la curva característica del UJT

- Se deberá de ajustar VBB a un valor de 10V

- Se deberán de conectar las fuentes de alimentación como se indica en la figura 5. Así mismo se deberá conectar el canal 2 del osciloscopio entre emisor y Base 1 de modo que corresponde a VEB1. El canal 1 del osciloscopio se conecta a través de la resistencia de 1 KΩ. La única manera de que fluya corriente por la resistencia es que provenga del emisor y se deberá de ajustar el osciloscopio a la forma X-Y y ver la curva característica del UJT

- Los valores tomados serán mostrados en la tabla 3 y repetir el procedimiento con una tensión de 20V

Tabla 3 Valores obtenidos en la curva característica

Vp

7.6 V

Vv

1.5 V

I

2.5 mA

Simulación virtual

- Simulación de circuito 2, a 10 V en figura 6 y 7

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Figura 6 Circuito de la figura 2 simulado en OrCAD a 10V

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Figura 7 Tensión en el tiempo de la resistencia R

Con esta simulación obtenemos una tensión de 1.2601 V en la resistencia de 1 KΩ

Con fuente de 20 V

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Figura 8 Simulación del circuito de la figura 2 a 20 V

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Figura 9 Tensión en la resistencia R

En la simulación obtenemos la tensión de 2.3842 V en la resistencia R1

2.3 Determinación de la resistencia de base 1 en conducción ()[pic 34]

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Figura 10 Simulación de obtención de resistencia de base 1 en conducción

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Figura 11 Tensión en VEB1

Determinación de resistencia en B1 en conducción

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2.4 Determinación de la razón intrínseca de bloqueo [pic 39]

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Figura 4 Razón intrínseca de bloqueo

Condiciones de simulación

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Figura 5 Poniendo condiciones iniciales

Circuito para determinar razón intrínseca

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Figura 6 Medición simulada para determinar razón intrínseca de bloqueo

Resultados de simulación

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Despejando [pic 44]

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Cuestionario

- ¿Por qué decae la resistencia del transistor cuando entra en conducción?

R. Decae debido a que la barrera pn no resiste cierta tensión y lo deja conducir.

- Determinar el valor de RB1 y RB2 para una corriente de emisor nula con una tensión de 10V y 20V en VBB

R. Su valor es el nominal debido a que al no romperse la barrera pn de emisor a base 1 la resistencia RBB no decae.

- ¿Cuál es el valor de η con los parámetros obtenidos en la sección 2.4.3?

R. para 10 V =0.82 y para 20 v =0.8[pic 47][pic 48]

Conclusiones

Hernández Rivas Raúl Omar

Al término de la sesión experimental y de acuerdo con los objetivos de la misma, concluyo satisfactoriamente que adquirí el aprendizaje plasmado en esta práctica.

En la primera parte se realizó la experimentación de comprobar el buen estado del Transistor Monounión UJT mediante pruebas realizadas con un multímetro digital, en el cual se obtuvo la resistencia alta (RB1) y con respecto a la base 1 hubo continuidad, La caída de tensión del diodo interno de emisor a ya sea base uno o a base 2 en este caso para ambos casos hay continuidad y si se invierten las puntas se comporta como circuito abierto.

Para el cálculo experimental de la RBB (resistencia de interbases en el circuito básico de funcionamiento) fue la tensión de la fuente menos la caída de tensión de la resistencia esto se hizo para una tensión de entrada de CD de 10 V y para 20 V.

Para determinar la resistencia (RB’1), en nuestro circuito se alimentó con una fuente de tensión variable hasta obtener una corriente de 10