Laboratorio de electronica informe
Enviado por John0099 • 5 de Noviembre de 2018 • 2.505 Palabras (11 Páginas) • 391 Visitas
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El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET
(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
Transistor de Efecto de Campo de Unión:
JFET (Junction Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las
Principales analogías y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el
Transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET
Son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de
Salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de
Corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del
Camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
Magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp,
En los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de
Canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que
Mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos
Tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el
Nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los
Electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de
Entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megohmios, muy
Superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de
Entrada del orden de unos pocos kilos ohmios. Esto proporciona a los FET una posición de
Ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la
Señal aplicada, es decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en
Los FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias
De tensión en alterna que presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.
En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se
Tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos
Utilizando única y exclusivamente transistores FET
CIRCUITO INTREGRADO LM741:
Circuito integrado LM741. Esta serie de componente electrónico integrado corresponde a los amplificadores operacionales de propósito general que ofrecen un mejor rendimiento frente a los estándares industriales, como el LM709. El LM741 es el reemplazo directo de los CIs:709C, LM201, MC1439 y 748 en la mayoría de las aplicaciones. Los amplificadores ofrecen muchas características que hacen que su utilización sea casi infalible: Protección de sobrecarga en la entrada y la salida, su salida no queda con tensión cuando se excede el rango en modo común, ausencia de oscilaciones. Los LM741C/LM741E son idénticos a los LM741/LM741A salvo que el LM741C/LM741E tienen su funcionamiento garantizado en un rango de temperaturas de entre 0 ºC a +70 ºC, en lugar de -55 ºC a +125 ºC.
Pines:
- Aunque el chip dispone de ocho patillas (pines) tres de ellas se reservan para funciones especiales el resto, tienen asignadas las siguientes funciones:
- Pin Nº 2: entrada de señal inversora.
- Pin Nº 3: entrada de señal no inversora.
- Pin Nº 6: terminal de salida.
- Pin Nº 7: terminal de alimentación positiva (Vcc)
- Pin
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