Pautas para presentacion de informe de electronica

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Figura 2.

[pic 5]

3. Polarización en inverso

- Implemente el circuito de la figura 3., mida el resistor y escriba su valor en el diagrama del circuito. Debido a que la corriente de saturación inversa es muy pequeña, es necesario usar la resistencia de 1 MΩ para que el voltaje medido a través de ella tenga una magnitud mensurable.

Figura 3.

- Mida el voltaje VR. Calcule la corriente de saturación inversa usando la fórmula : [pic 6]. Rm es la resistencia interna del multímetro y se debe tener en cuenta debido al gran valor de la resistencia R. Si no conoce ese dato use típicamente el valor de 10 MΩ. Escriba los resultados en la tabla 4.

- Repita lo anterior para el diodo de germanio y escriba los resultados en la misma tabla.

Tabla 4.

Si

Ge

Rm

VR (med.)

IS (calculada)

RD (calculada)

- Compare los resultados de IS y explique sus diferencias.

- Determine la magnitud de la resistencia DC (RD) para los dos diodos y escriba los resultados en la tabla anterior.

- Son los valores de esa resistencia suficientemente altos para considerar al diodo como un circuito abierto si se usa en un circuito en serie con un resistor cuyo valor esté en un rango bajo de KΩ.

4. Resistencia Estática (RD)

- Usando la curva del diodo de silicio de la figura 2. determine el VD correspondiente a los niveles de corriente indicados en la tabla 5. Luego determine RD para cada nivel de corriente y escríbalos en dicha tabla. Escriba cómo realiza estos cálculos.

Tabla 5.

Si

Ge

ID (mA)

VD

RD

VD

RD

0.2

1

5

10

- Cuál es la tendencia de RD para el diodo cuando la corriente aumenta y el punto de operación del diodo se mueve hacia la sección de crecimiento vertical de la característica. Explique este comportamiento.

5. Resistencia Dinámica (rd)

- Con la ecuación respectiva determine rd para el diodo de silicio alrededor de ID = 9 mA usando la curva de la figura 2. Escriba el procedimiento para realizar esta labor.

- Determine la resistencia dinámica para esa misma corriente usando la ecuación obtenida por cálculo a partir de la ecuación de corriente del diodo.

Compare los resultados de a) y b) y explique la diferencia.

- Repita los pasos a) y b) para ID = 2 mA.

Compare estos resultados y explique la diferencia.

Los resultados anteriores escríbalos en la tabla 6.

Tabla 6.

ID (mA)

rd (cal. por gráf.)

rd (cal. por ecuac.)

9

2

6. Voltaje Umbral (VT)

Determine gráficamente el potencial de umbral de los diodos usando las curvas obtenidas en la figura 2. muestre este resultado en dicha gráfica y escríbalos en la

tabla 7.

Tabla 7.

Si

Ge

VT (V)

7. Demostración de los Efectos de la Temperatura

Implemente el circuito de la figura 1. usando el diodo de silicio y ajuste la fuente para que VR = 1 V con lo cual se establece una corriente de aproximadamente 1 mA.

- Coloque el voltímetro en los terminales del diodo y observe lo que sucede con la lectura cuando se calienta el diodo con el cautín. Escriba el efecto en VD cuando este se calienta.

- Enfríe el diodo y coloque el voltímetro en los terminales del resistor, observe lo que sucede con la lectura cuando se calienta el diodo con el cautín. Escriba el efecto en VR.

Como ID = [pic 7], escriba el efecto en la corriente del diodo como resultado de su calentamiento.

- Como RD = [pic 8], escriba el efecto en dicha resistencia cuando se incrementa la temperatura del diodo.

- ¿El diodo semiconductor tiene un coeficiente de temperatura positivo o negativo? Explique su respuesta.

ACTIVIDAD FINAL DE LA PRACTICA

Al finalizar la practica debe entregar un documento con los resultados de los valores medidos.

NOTA

Las respuestas a las preguntas formuladas se deben ubicar en el numeral correspondiente a solución a cuestionario.

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UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

LABORATORIO ELECTRÓNICA I

PRACTICA No. 2

RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA Y DE ONDA COMPLETA

EQUIPO REQUERIDO

- Instrumentos : Multímetro digital (DMM) y osciloscopio.

- Componentes : Dos resistores de 2.2 KΩ y uno de 3.3 KΩ a 0.25 o 0.5 W y 5%; cuatro diodos de silicio 1N4004.

- Generador