Diodos ¿Cuál es la diferencia básica entre conductores y aislantes?

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- ¿Cómo se forma un semiconductor tipo n?

Cada átomo pentavalente forma enlaces covalentes con cuatro átomos de silicio adyacentes. El electrón extra que queda llega a ser en electrón de conducción porque no interviene en el enlace. El número de electrones de conducción puede ser controlado mediante el número de átomos de impureza agregados al silicio.

- ¿Cómo se forma un semiconductor tipo p?

Cada átomo trivalente forma enlaces covalentes con cuatro átomos de silicio adyacentes, resulta un hueco cuando se agrega cada átomo trivalente. Un hueco creado mediante este proceso de dopado no está acompañado por un electrón de conducción.

- ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo n?

Los electrones.

- ¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor tipo p?

Los huecos.

- ¿Cuál es la diferencia entre semiconductores intrínsecos y extrínsecos?

Los intrínsecos son puros, pero podemos mejorar algunas características del semiconductor como conductividad o aislamiento, agregando impurezas, y a eso se le llama extrínseco.

CUESTIONARIO

- Explique cómo se genera la región de empobrecimiento en un diodo.

Los electrones libre en la región n se mueven aleatoriamente. En el instante en el que se forma la unión pn, los electrones libres que se encuentran cerca de la unión en la región n comienzan a difundirse a través de la unión de la región p, donde se combinan con los huecos que se encuentran cerca de la unión.

Cuando se forma la unión pn, la región n pierde electrones libreas a medida que se difunden a través de la unión. Esto crea una capa de cargas positivas. A medida que los electrones se mueven a través de esta, la región p pierde huecos a medida que los electrones y huecos combinan. Esto crea una capa de cargas negativas. Estas dos capas forman la región de empobrecimiento, que se refiere al hecho de que la región cercana a la unión pn se queda sin portadores de carga.

- Explique que es el potencial de barrera en un diodo semiconductor.

En cualquier momento que exista una carga positiva y una negativa, una cerca de la otra, existe una fuerza que actúa en la carga como lo describe la Ley de Coulomb. En la región de empobrecimiento existe un campo eléctrico debido a las cargas que se generan con los electrones y huecos. Este campo eléctrico es una barrera para los electrones libres y se debe consumir energía, es decir aplicar energía externa para hacer que los electrones se muevan a través de la barrera del campo eléctrico.

La diferencia de potencial eléctrico a través de la región de empobrecimiento en la cantidad de voltaje requerido para mover electrones a través del campo eléctrico. Esta diferencia de potencial se llama potencial de barrera y se expresa en volts.