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DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

Enviado por   •  20 de Septiembre de 2018  •  1.406 Palabras (6 Páginas)  •  387 Visitas

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...

[pic 18]

Parte 2: Características del diodo en polarización directa

- Usando el diodo de silicio (1N4007) y la resistencia de 1KΩ se obtiene:

Tabla 03: Diodo Si 1N4007

VR(V)

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

VD(V)

0.4

0.4

0.4

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

0.5

ID=VR/Rmed (mA)

0.100

0.200

0.301

0.401

0.501

0.601

0.701

0.802

0.902

VR(V)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

VD(V)

0.5

0.5

0.6

0.6

0.6

0.6

0.6

0.6

0.7

ID=VR/Rmed (mA)

1.002

2.004

3.006

4.008

5.010

6.012

7.014

8.016

9.018

Tabla 04: Diodo Ge (1N60)

VR(V)

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

VD(V)

0.1

0.1

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

0.2

ID=VR/Rmed (mA)

0.100

0.200

0.301

0.401

0.501

0.601

0.701

0.802

0.902

VR(V)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

VD(V)

0.3

0.3

0.4

0.4

0.5

0.6

0.7

0.7

0.7

ID=VR/Rmed (mA)

1.002

2.004

3.006

4.008

5.010

6.012

7.014

8.016

9.018

- Usando el diodo de germanio (1N60)

[pic 19]

Parte 3: Polarización inversa

Podemos realizar el cálculo de la corriente de saturación inversa.

Tabla 5: Corriente saturación inversa

Si

Ge

Rm (MΩ)

1.02

1.02

VR

...

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