DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES
Enviado por Kate • 20 de Septiembre de 2018 • 1.406 Palabras (6 Páginas) • 339 Visitas
...
[pic 18]
Parte 2: Características del diodo en polarización directa
- Usando el diodo de silicio (1N4007) y la resistencia de 1KΩ se obtiene:
Tabla 03: Diodo Si 1N4007
VR(V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VD(V)
0.4
0.4
0.4
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
ID=VR/Rmed (mA)
0.100
0.200
0.301
0.401
0.501
0.601
0.701
0.802
0.902
VR(V)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VD(V)
0.5
0.5
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.7
ID=VR/Rmed (mA)
1.002
2.004
3.006
4.008
5.010
6.012
7.014
8.016
9.018
Tabla 04: Diodo Ge (1N60)
VR(V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VD(V)
0.1
0.1
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
ID=VR/Rmed (mA)
0.100
0.200
0.301
0.401
0.501
0.601
0.701
0.802
0.902
VR(V)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VD(V)
0.3
0.3
0.4
0.4
0.5
0.6
0.7
0.7
0.7
ID=VR/Rmed (mA)
1.002
2.004
3.006
4.008
5.010
6.012
7.014
8.016
9.018
- Usando el diodo de germanio (1N60)
[pic 19]
Parte 3: Polarización inversa
Podemos realizar el cálculo de la corriente de saturación inversa.
Tabla 5: Corriente saturación inversa
Si
Ge
Rm (MΩ)
1.02
1.02
VR
...