Electrónica DIgital guía.

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En algunas ocasiones suele llamarse “memoria interna” porque a diferencia de los dispositivos de memoria secundaria, la MP no puede extraerse tan fácilmente.

4. ¿Qué es celda de memoria? R= Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto de cerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras binarias de n bits. Cada una de ellas tienen la capacidad de almacenar un bit de información (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria. Las celdas o bits de memoria se ubican mediante la fila y la columna en la que se encuentra.

5. ¿Qué es palabra de memoria? R= Grupo de bits(celdas) en una memoria que representa instrucciones o datos de algún tipo.

6. ¿Qué es un byte? R= es una unidad de información utilizada como un múltiplo del bit. Generalmente equivale a 8 bits,3 4 5 6 7 8 9 10 por lo que en español se le denomina octeto

7. ¿Qué es memoria volátil? R= Cualquier tipo de memoria que requiere la aplicación de energía eléctrica a fin de almacenar información

8. ¿Qué es memoria de acceso aleatorio (RAM)? R= Memoria en la cual la localización física real de una palabra de la memoria no tiene efecto sobre tiempo que se tarda en leer de esa localidad o bien escribir en ella.

9. ¿Qué es la memoria ROM? R= Extensa clase de memorias de semiconductor diseñadas para aplicaciones donde la proporción de operaciones de lectura a operaciones de escritura es muy alta. En términos técnicos, en una ROM sólo puede escribirse(programarse) una vez y esta operación normalmente se efectúa en la fábrica.

10. ¿Qué es un dispositivo de memoria estática? R= Dispositivos de memoria de semiconductor en los cuales los datos almacenados se quedarán permanentemente guardados en tanto se aplique energía, sin necesidad de escribir periódicamente los datos en memoria.

11. ¿Qué es un dispositivo de memoria dinámica? R= Dispositivos de memoria de semiconductor en los cuales los datos almacenados no se quedarán permanentemente guardados aun con energía aplicada.

12. ¿Qué es un bus de dirección? R= Es un canal del microprocesador totalmente independiente del bus de datos donde se establece la dirección de memoria del dato en tránsito.

13. ¿Qué es una memoria EPROM? R= EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrónico, como el Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROM se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.

14. ¿Qué es una memoria FLASH? R= La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.

15. ¿Qué es una memoria RAM DINAMICA? R= DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa memoria dinámica de acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.

16. ¿Qué es una memoria FIFO? R= FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila de espera.

FIFO se utiliza en estructuras de datos para implementar colas. La implementación puede efectuarse con ayuda de arrays o vectores, o bien mediante el uso de punteros y asignación dinámica de memoria. LIFO (Last in-first out), la última información introducida en la memoria es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento.

El término LIFO se utiliza en estructuras de datos y teoría de colas. Guarda analogía con una pila de platos, en la que los platos van poniéndose uno sobre el otro, y si se quiere sacar uno, se saca primero el último que se puso.

LIFO es el algoritmo utilizado para implementar pilas.

17. ¿Qué es memoria cache? R= Una memoria caché es una memoria en la que se almacenas una serie de datos para su rápido acceso. Existen muchas memorias caché (de disco, de sistema, incluso de datos, como es el caso de la caché de Google), pero en este tutorial nos vamos a centrar en la caché de los procesadores.

Básicamente, la memoria caché de un procesador es un tipo de memoria volátil (del tipo RAM), pero de una gran velocidad.

18. ¿Qué memoria es de tipo primero en entrar y primero en salir? R= FIFO

19. Las celdas de almacenamiento semiconductor se clasifican en…. R=

20. ¿Para qué se usa el dispositivo PLD? R= Dispositivo lógico programable es un tipo de diseño implementado en chips que permite la reconfiguración de los circuitos con el simple cambio del software que incorpora, es lo contrario de la lógica cableada.

21. ¿Cómo se le conoce a la memoria EEPROM? R= EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.

22. ¿Cómo se distingue la capacidad de borrar los bytes de la EEPROM? R=

23. ¿Qué función principal cumple la unidad de refresco de la DRAM? R= Revisar dicha carga y la reponerle en un ciclo de refresco.

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