Previo El Derecho de Depresión de Punto de congelación en química Física

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Además, tomando la K = Ko + AK para suficientemente diluye la solución

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Diagrama

Eliminación Xgl entre eq 8 y eq 11 producciones

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where A = AHsK~IRT,WP - I), which for sufficiently

small AT yields (to first order in AT):

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Estos son las leyes generalizadas restrictivas para el líquido sólido dos - el equilibrio componente. ¿Para KO>> 1 (el soluto mucho más solu-ble en el líquido que en la solución sólida) estos se hacen Xzs 0 y X21 AHofusionATRT?, el punto de congelación linealizado depresión ley.

Para KD 1 thev vield deoression de la fusión ~oint con la solución sólida. "*r todos los casos eqs 13 y 14 son ecuaciones inear apropiadas por el análisis de líquido sólido equi-libria en soluciones suficientemente diluidas. La cantidad la K " puede ser vista como un parámetro que determina el comportamiento: KO - el medio pone a cero la solubilidad sólida y el punto de congelación habitual de pression la ley, KO> 1 medio alguna solubilidad sólida, pero la solubilidad mayor en el líquido y la depresión de punto de congelación, y KO

Como las soluciones se hacen más concentradas las leyes lineales más se aplicará porque las aproximaciones no son ningún largas - er válidas, y porque las soluciones en general más serán ideales (más obedecerán las leyes de Raoult y Henrio). En el caso de las concentraciones más altas de soluto las leyes apropiadas son

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donde K = YB~XB~IYBSXB ~ y los coeficientes de actividad de pend sobre la naturaleza de un y B y sus interacciones de solución líquidas y sólidas. La figura muestra el diagrama de fase de Ge-Si. ' Durante el final de Si-rich, Ko (el límite de XcdIXcd como la T va a 1414 " C, la temperatura que se derrite de Si) es mayor que la unidad, y el punto de congelación es deprimido. Además, Si puede ser purificado de una impureza Ge por la refinación de la zona. Durante el final de Ge-rich, la K " (el límite de X*/Xsis) es menos que la unidad, y el punto de congelación es elevado. Ge no puede ser purificado de una impureza de Si por la refinación de la zona.