ADEMÁS DEL JFET SE TIENE TAMBIÉN EL MOSFET, EL CUAL ADEMAS DE SER CANAL P O CANAL N, PUEDE EN CADA CASO SER DEL TIPO DECREMENTAL O INCREMENTAL, COMO MUESTRA LA SIGUIENTE TABLA.
Enviado por karlo • 21 de Febrero de 2018 • 1.268 Palabras (6 Páginas) • 529 Visitas
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LA CURVA DE TRANSFERENCIA SE PROLONGA HACIA LA IZQUIERDA PARA VALORES NEGATIVOS DE VGS.
LOS SÍMBOLOS DE ESTOS DISPOSITIVOS SE MUESTRAN A CONTINUACIÓN.
CANAL N CANAL P[pic 13]
LOS SUPERIORES CORRESPONDEN A DISPOSITIVOS EN LOS QUE OFRECEN LA POSIBILIDAD DE CONECTAR EL SUBSTRATO A ALGUN VOLTAJE DISTINTO, PERO LOS COMUNMENTE USADOS SON LOS INFERIORES. LA PUNTA DE FLECHA EN LA TERMINAL DEL
SUBSTRATO APUNTA SIEMPRE HACIA EL MATERIAL N.
MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
AUNQUE EXISTEN MUCHAS SIMILITUDES EN LA CONSTRUCCIÓN Y MODO DE OPERACIÓN ENTRE LOS MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Y DE TIPO INCREMENTAL, LAS CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET DE TIPO INCREMENTAL SON BASTANTE DIFERENTES DE CUALQUIER OTRO QUE HASTA AHORA SE HA OBTENIDO.
[pic 14]
EL CONTROL DE CORRIENTE EN UN DISPOSITIVO DE CANAL N AHORA RESULTA AFECTADO POR UN VOLTAJE COMPUERTA-FUENTE POSITIVO EN LUGAR DEL RANGO DE VOLTAJES NEGATIVOS ENCONTRADOS PARA LOS JFET DE CANAL N Y LOS MOSFET DE TIPO DECREMENTAL DE CANAL N.
LA CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL MOSFET DE TIPO INCREMENTAL DE CANAL N SE OFRECE EN LA FIGURA SIGUIENTE.
[pic 15]
UNA PLACA DE MATERIAL TIPO P SE FORMA A PARTIR DE UNA BASE DE SILICIO Y UNA VEZ MÁS SE LE CONOCE COMO SUBSTRATO.
EL SUBSTRATO GENERALMENTE SE CONECTA A LA TERMINAL DE LA FUENTE, MIENTRAS QUE EN OTROS CASOS HAY DISPONIBLE UNA CUARTA TERMINAL PARA EL CONTROL EXTERNO DE SU NIVEL DE POTENCIAL.
LAS TERMINALES DE LA FUENTE Y DRENAJE SE CONECTAN UNA VEZ MÁS POR MEDIO DE CONTACTOS METÁLICOS A REGIONES DOPADAS N, PERO SE OBSERVA EN LA FIGURA LA AUSENCIA DE UN CANAL ENTRE LAS DOS REGIONES DOPADAS N. ESTA ES LA DIFERENCIA PRIMARIA ENTRE LA CONSTRUCCIÓN DE LOS MOSFET DE TIPO DECREMENTAL Y LOS DE TIPO INCREMENTAL. LA AUSENCIA DE UN CANAL COMO UN COMPONENTE CONSTRUIDO DEL DISPOSITIVO.
LA CAPA DE SIO2 AÚN ESTÁ PRESENTE PARA AISLAR LA PLATAFORMA METÁLICA DE LA COMPUERTA DE LA REGIÓN ENTRE EL DRENAJE Y LA FUENTE, PERO AHORA ESTÁ SIMPLEMENTE SEPARADA DE UNA SECCIÓN DE MATERIAL DE TIPO P.
SI VGS = 0 Y SE APLICA UN VOLTAJE ENTRE DRENAJE Y FUENTE, NO HABRA CONDUCCIÓN, DEBIDO A LA AUSENCIA DE CANAL. PARA QUE LA CONDUCCIÓN INICIE, ES NECESARIO QUE VGS > 0, PARA QUE LOS ELECTRONES DEL SUBSTRATO ( PORTADORES MI-NORITARIOS ) SEAN ATRAIDOS HACIA LA COMPUERTA Y FORMEN UN CANAL ARTIFI-CIAL. EL VOLTAJE VGS NECESARIO PARA QUE PUEDA DARSE LA CONDUCCIÓN SE LE LLAMA VOLTAJE DE UMBRAL VT (THRESHOLD) Y EN LAS ESPECIFICACIONES SE LE CONOCE COMO VGS(TH).[pic 16]
CUANDO VGS SE INCREMENTA MÁS ALLÁ DEL NIVEL DE UMBRAL, LOS PORTADORES LIBRES EN EL CANAL INDUCIDO SE INCREMENTAN, DANDO POR RESULTADO UN NIVEL MAYOR DE CORRIENTE DE DRENAJE.
SIN EMBARGO, SI SE MANTIENE VGS CONSTANTE Y SÓLO SE AUMENTA EL NIVEL DE VDS, LA CORRIENTE DE DRENAJE ALCANZARÁ UN NIVEL DE SATURACIÓN, ASÍ COMO OCURRIÓ AL JFET Y AL MOSFET DE TIPO DECREMENTAL.
LA SATURACIÓN SE DEBE A UN PROCESO DE ESTRECHAMIENTO DESCRITO POR UN CANAL MÁS ANGOSTO AL FINAL DEL DRENAJE DEL CANAL INDUCIDO, COMO SE MUESTRA EN LA FIGURA SUPERIOR.
[pic 17]
LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS Y DE TRANSFERENCIA SE MUESTRAN A CONTINUACIÓN.
PARA EL MOSFET DE TIPO INCREMENTAL DE CANAL P, CON VT = - 2V, SE MUESTRAN A CONTINUACIÓN LA ESTRUCTURA, LAS CURVAS CARACTERISTICAS Y LA CURVA DE TRANSFERENCIA.
[pic 18]
[pic 19]
EN LA FIGURA ADJUNTA SE MUESTRAN LOS SIMBOLOS DE ESTOS DISPOSITIVOS, PARA 4 Y 3 TERMINALES.
VMOS
EL MOSFET TIENE COMO DESVENTAJA EL MANEJAR SOLO BAJOS NIVELES DE PO-TENCIA, PARA SUPERAR ESTE INCONVENIENTE SE DISEÑÓ EL VMOS ( V = VERTICAL ).
[pic 20]
CON ESTE DISPOSITIVO PUEDEN ALCANZARSE POTENCIAS MAYORES A 10 W, TIENEN MENOR RESISTENCIA DE CANAL QUE EL MOS CONVENCIONAL Y TIEMPOS DE CONMUTACIÓN MENORES A LA MITAD DE LOS DE UN BJT NORMAL.
CMOS[pic 21]
CMOS SIGNIFICA MOS COMPLE-MENTARIO, COMO SU NOMBRE LO INDICA, CONSISTE DE PARE-JAS DE DISPOSITIVOS MOS, SIEN-DO UNO DE ELLOS DE CANAL P Y EL OTRO DE CANAL N.
ESTA CONFIGURACION ES MUY USADA EN LA ACTUALIDAD PA-RA LA CONSTRUCCIÓN DE CIR-CUITOS LOGICOS.
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